內存特徵和建模

SiliconSmart MR自動並加速了特徵和建模過程，改善了嵌入式內存模塊的精度。

當前，超過百分之九十的SoC設計都包含了多個嵌入式的內存。這些內存的特徵、建模和驗証過程不僅耗時而且容易出錯，SiliconSmart MR 使得這些過程能夠自動執行。通過SiliconSmart MR 進行自動化的環境設置、度量定義以及激勵創建，用戶能夠創建各種類型內存的特徵和建模。SiliconSmart MR 能夠輕鬆地整合到現有的環境中，通過快速地生成高品質、可用於生產的Synopsys^® Liberty™ 模型，增強了設計和特徵環境。

主要特點：

• 消耗全部內存網表
• 獲取時序和功率
• 自動設置和激勵生成
• 自定義的特徵方法
• 基於內部節點度量獲取的約束條件
• 基於架構的分布式處理
• 數據從屬關係管理
• 自動的回轉相移和多PVT
• 完整的模型生成

• 規則結構的嵌入式內存
• 同步的和异步的 同步的和異步的
• 單口、雙口和多口隨機存取內存(RAMs)
• 單口、雙口和多口只讀存儲器(ROMs)
• 單口、雙口和多口寄存器文件

• Synopsys^®Liberty™(.lib)

• 時鐘周期時間，低/高最小脈寬
• 晶片允許設置/保持時間
• 地址和數據設置/保持時間
• 寫允許設置/保持時間
• 時鐘到數據輸出延遲(存取時間)
• 輸出三態運行/禁止
• BIST允許設置/保持時間
• BIST三態允許/禁止
• 異步寫通(AWT)(組合的)
• 與狀態相關的開關、隱藏和洩漏功率

• Nassda™ HSIM™
• Synopsys NanoSim™
• StarSim-XT™
• Star-HSpice^®

• Solaris™
• Linux^®