利用SiliconSmart ，實現簡單和複雜I/O單元的特徵和建模

與設計、確認、建模以及管理電子界面(I/O)等相關聯的問題迫使很多設計師利用不合適的模塊來描述他們的I/O單元。兩個最常見的問題是模型無法準確地解決他們的操作環境和I/O設計，從而無法達到他們的印刷規範。一般來講，這些問題都是在設計周期的晚期被發現，繼而又迫使設計師重新設計他們的電路，以匹配電路性能。最終，I/O的模型生成變成了決定系統性能和產品交付時間的瓶頸。

高質量的模型是準確的、有效的、無誤差的，以及最重要的是能夠表述一個滿足電氣規範標準的單元。有I/O 選項的SiliconSmart成為當之無愧的解決方案－能夠生成準確模型的工具，沒有任何誤差。在設計師的時間預算內，SiliconSmart能夠有效地生成高品質的模型。 簡言之，SiliconSmart以相似的方式幫助開發工程師和設計師達到了共同的目標－更快、更好的矽片。

• 可編程的 Tcl 的用戶界面
• 支持多隊列管理工具：
• Platform Computing提供的LSF
• Sun Microsystems提供的GridEngine
• 自動的特徵規劃
• 自動的激勵和負載配置
• 優化的取樣點分布
• 與狀態和路徑相關的時序和功率度量
• 申請專利的數據獲取和縮減算法
• 在無約束的CPUs上執行的分布式處理
• 基於架構的從屬關係管理
• 支持先進的電流源模型(ECSM 、CCS)
• 支持低功耗模型

• 輸入、輸出和雙向緩衝器
• 位准移動和電壓轉換單元
• 任意複雜的函數的特徵

• Liberty™ (.lib)
• Verilog^®
• Vital
• ECSM
• CCS
• IBIS
• Model Data API

*具備I/O選項

• 與狀態相關的固有延遲和輸出轉換時間
• 有效的輸入引腳電容
• 最小的脈寬
• 設置、保持、恢復以及刪除
• 約束邊緣控制，實現獨立的設置和保持
• 約束衝突決策
• 功能性失效
• 絕對的、相對的和用戶定義的延遲下降
• 與狀態相關的開關、洩漏、內部的(包括隱藏的)和整體功率
• 電流源模型 (ECSM和CCS)
• 驅動器的電壓 / 電流波形
• 基於表單的接收器輸入引腳電容
• 自定義的度量方法
• 驅動強度和輸出狀態電壓
• 掛起時間和喚醒時間
• 箝位電壓
• 磁滯現象、微分偏移以及參考公差
• 自定義的度量方法

• HSPICE^®
• SmartSpice^®
• Spectre^®
• Eldo™
• MSIM^®
• 定制集成

• Solaris™
• Linux^®